多功能型 C/電容和tanδ/介損測試系統

by admin

.本設備採用模組化設計。測量裝置位於插入式模組中。對於相關的校準, 只須將此模組拆卸、以及在必要時更換模組即可。此可節省成本並最大限度地提高實驗室的設備可用性。
.測量精度:
-電壓:±0.025%
-電流:±0.025%
-電容:±0.1% rdg±1 pF
-介損/ Tanδ:±0.1% rdg±5.10-5
-功因/ CosΦ:±0.1% rdg±5.10-5
.測量範圍:
-電容測量:10 pF至1.5 nF *
-電流測量:0.35uA至890 uA *
-電壓測量:0.6至630V或2000V
-測量範圍:可根據需要進行調整。
* EPRO亦可根據客戶需求製造。

分類:

描述

.本設備採用模組化設計。測量裝置位於插入式模組中。

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